IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPC50N04S5L5R5ATMA1 מאת Infineon ו IAUC60N04S6L030HATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPC50N04S5L5R5ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)
סטטוס RoHS — Compliant
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר