IPD028N06NF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD028N06NF2SATMA1 מאת Infineon ו BSC076N04NDATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPD028N06NF2SATMA1 BSC076N04NDATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD028N06NF2SATMA1 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology Family OptiMOS 5 60V —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 139 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.85 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation at TC=25°C 150 W —
טווח טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C —
מארז PG-TO252-3 (DPAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain-tab, Source) —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
מארז / Case — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר