IPD068N10N3GATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD068N10N3GATMA1 מאת Infineon ו IPB027N10N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPD068N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
מארז PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO263-3 (D2PAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
טווח טמפרטורת פעולה — -55°C to +175°C (TJ)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר