IPD33CN10NGATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD33CN10NGATMA1 מאת Infineon ו BSC117N08NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD33CN10NGATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 58 W | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS 5 |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| מספר פינים | 3 (Gate, Drain, Source) | 8 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (TJ) | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| רמת MSL | 1 | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |