IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE012N03LM5CGSCATMA1 מאת Infineon ו IQE012N03LM5CGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQE012N03LM5CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 34 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | 224 A | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | 1.15 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | 107 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ, per Merlin listing) | — |
| מארז | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) | 1 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 224 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 1.20 mOhm |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) |
| Technology / Process | — | OptiMOS 5 trench |
| טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible) |