IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE020N04LM6CGSCATMA1 מאת Infineon ו IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ פעיל
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IQE020N04LM6CGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C 166 A —
Maximum RDS(on) 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 107 W —
מארז PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-WHTFN-9-1 (surface mount)
מספר פינים 9 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) —
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) —
Technology OptiMOS 6 trench Silicon N-Channel Power MOSFET
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 54 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 422 A
RDS(on) Max — 0.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 2 V
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 150 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Series — OptiMOS 7

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר