IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE020N04LM6CGSCATMA1 מאת Infineon ו ISZ028N03LF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IQE020N04LM6CGSCATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C 166 A —
Maximum RDS(on) 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 107 W —
מארז PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
מספר פינים 9 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) -55C to +175C (junction, typical)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) 1
Technology OptiMOS 6 trench StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר