IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE020N04LM6CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE020N04LM6CGSCATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C 166 A —
Maximum RDS(on) 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 107 W —
پیکیج PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
پن کی تعداد 9 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) -55C to +175C (junction, typical)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) 1
Technology OptiMOS 6 trench StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں