IR2304SPBF vs IR2010SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2304SPBF מאת Infineon ו IR2010SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2304SPBF IR2010SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels Half-Bridge (high + low side)
מספר יציאות 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
מארז 8-Pin SOIC (SO-8 N) 16-SOIC (SOIC-16)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Number of Drivers — 2 (independent high/low-side outputs)
Offset Voltage (max) — 200 V
Peak Source/Sink Current — 3 A / 3 A
Logic Input Compatibility — CMOS or LSTTL, down to 3.0 V
Propagation Delay (typ) — 95 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
VCC Supply Voltage (low side) — 10 V to 20 V
VB Bootstrap Supply (high side) — VCC + 10 V to VCC + 20 V
טמפרטורת פעולה — -40C to +150C
Shutdown Feature — Yes (active input)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drive Technology — High-speed power MOSFET / IGBT driver
Channel Matching — Matched propagation delays for cross-conduction minimization

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר