IRF5305STRLPBF vs IRFR5305TRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF5305STRLPBF מאת Infineon ו IRFR5305TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF5305STRLPBF | IRFR5305TRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 60 mOhm | 65 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) | — |
| Maximum Power Dissition at Tc | 110 W | — |
| Maximum Power Dissipation at TA | 3.8 W | — |
| מארז | TO-263 / D2PAK (surface mount) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] | — |
| Technology | HEXFET (fifth generation), IR MOSFET | HEXFET fifth-generation planar MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free suffix PBF) | Yes (Pb-free, suffix "PBF") |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Tape & Reel Orientation | — | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) |