IRF7380TRPBF vs IRF7469TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7380TRPBF מאת Infineon ו IRF7469TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7380TRPBF IRF7469TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7380TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.6 A —
On-Resistance RDS(on) max 73 mOhm at VGS = 10 V —
Technology IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) IR MOSFET™ (HEXFET)
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
מארז SO-8 (8-SO, SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +150 C —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free plating, suffix PBF) —
Packaging Tape & Reel (suffix TR) —
Primary Application High-frequency DC-DC converters —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C — 9 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 17 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C — 2.5 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55°C to +150°C (Tj)
רמת MSL — 1 (unlimited)
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes
Channel Mode — Enhancement
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר