IRFB3306PBF vs IRFB3207ZPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB3306PBF מאת Infineon ו IRFB3207ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFB3306PBF IRFB3207ZPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology IR HEXFET (MOSFET) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 120 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Rds(on) max @ Vgs=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Gate-Drain Charge (Qgd) typ 26 nC (nominal) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 230 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C -55 C to +175 C
מארז TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
RoHS / Lead-Free (PbF) Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Avalanche Rated Yes Yes (improved Z-variant ruggedness)
Body Diode Intrinsic (avalanche-rated) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
רמת MSL — N/A (through-hole)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר