IRFB7534PBF vs IRL3705NPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB7534PBF מאת Infineon ו IRL3705NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFB7534PBF | IRL3705NPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFB7534PBF | — |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | HEXFET (planar cell, fifth generation) |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 195 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 294 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.4 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.7 V (typ) | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| מארז | TO-220AB | TO-220AB (3-pin through-hole) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (PbF suffix) | Compliant (per PBF suffix) |
| רמת MSL | MSL1 (unlimited floor life) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 89 A |
| זרם ניקוז פועם | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 170 W |
| On-Resistance R_DS(on) | — | 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Q_g | — | 65.3 nC |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Gate Drive Level | — | Logic-level |
| Avalanche Rated | — | Yes (ruggedized single-pulse avalanche) |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |