IRFB7545PBF vs IRFH5015TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB7545PBF מאת Infineon ו IRFH5015TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFB7545PBF | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFB7545PBF | — |
| Technology | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Polarity | N-Channel | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | 60 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 380 A | — |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | TO-220AB (Through-Hole) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| סוג הרכבה | Through Hole (THT) | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-Free, PBF suffix) | — |
| רמת MSL | N/A (Through-Hole) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (TJ max) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |