IRFR2405TRPBF vs IRFR5305TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR2405TRPBF מאת Infineon ו IRFR5305TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR2405TRPBF IRFR5305TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
רמת MSL 1 1
סטטוס RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant (Pb-free PBF suffix)
נטול הלוגנים [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר