IRFR4105TRPBF vs IRFZ44NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR4105TRPBF מאת Infineon ו IRFZ44NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR4105TRPBF IRFZ44NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) HEXFET (Advanced Process)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D at Tc) 27 A —
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) 45 milliohm —
Gate-Source Voltage (V_GS max) 20 V —
Total Gate Charge (Q_G) 22.7 nC —
Power Dissipation (P_D at Tc) 68 W —
מארז TO-252AA (DPAK) TO-220AB (3-pin + tab)
סוג הרכבה Surface Mount Through Hole
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
סטטוס RoHS Compliant (lead-free, PBF suffix) Compliant
Packaging Type Tape and Reel (TRPBF) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy (E_AS) [DATA_NEEDED: E_AS rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר