IRFS3006TRLPBF vs IRFB3207ZPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFS3006TRLPBF מאת Infineon ו IRFB3207ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFS3006TRLPBF IRFB3207ZPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-Source Voltage (Vds) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 270 A —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 200 nC —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 375 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
מארז D2PAK (TO-263AB), surface mount TO-220AB (3-lead through-hole)
סוג הרכבה Surface Mount Through Hole
RoHS Compliance Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant —
רמת MSL 1 N/A (through-hole)
Avalanche Energy Rating Avalanche rated (per Infineon datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר