IRFZ48NSTRLPBF vs IRF3710STRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ48NSTRLPBF מאת Infineon ו IRF3710STRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFZ48NSTRLPBF IRF3710STRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 86.7 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — HEXFET / IR MOSFET (planar)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר