IRLML0030TRPBF vs IRLML6346TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLML0030TRPBF מאת Infineon ו IRLML6346TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLML0030TRPBF | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3 / SOT-23 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | HEXFET Power MOSFET |
| רמת MSL | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Soldering | Wave-solder capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.4 A (TA=25C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |