ISZ019N03L5SATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ019N03L5SATMA1 מאת Infineon ו BSC028N06NSTATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ019N03L5SATMA1 BSC028N06NSTATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A 100 A
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) —
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
מארז PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (TJ max) —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
Series — OptiMOS 5
Part Number Base — BSC028N06NS
Technology — MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
סטטוס RoHS — Compliant
נטול הלוגנים — Yes
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר