ISZ028N03LF2SATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ028N03LF2SATMA1 מאת Infineon ו IQE020N04LM6CGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ028N03LF2SATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS 6 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
מארז PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction, typical) -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current at TC=25°C — 166 A
Maximum RDS(on) — 2.0 mΩ (per IQE part-number decode)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 107 W
מספר פינים — 9
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר