ISZ173N15NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ173N15NM6ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN08S7L033ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISZ173N15NM6ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 150V | Automotive OptiMOS 7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 48 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 94 W | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench-gate MOSFET | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| מארז | PG-TSDSON-8 FL | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Application | Hard and soft switching, high/low frequency | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Tape & Reel Quantity | 5000 | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Qualification | — | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |