K4A4G165WF-BCTD vs K3LK4L40DM-BGCT השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G165WF-BCTD מאת Samsung Electronics ו K3LK4L40DM-BGCT מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G165WF-BCTD | K3LK4L40DM-BGCT |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $8.20 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DRAM (SDRAM component) |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| ממשק | SSTL-12 | — |
| מארז | FBGA-96 (PBGA96) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| תכונות | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Density | — | [DATA_NEEDED: Density] |
| Organization (x-width) | — | [DATA_NEEDED: Organization] |
| קצב נתונים | — | [DATA_NEEDED: Data Rate] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Type | — | BGA (per -BGC ordering-code suffix) |
| Package Ball Count | — | [DATA_NEEDED: Ball Count] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] |
| Lead Free | — | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Packaging | — | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] |