K4B4G1646D-BCH90 vs K4B4G1646D-BYK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BCH90 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646D-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BCH90 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| ארגון | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| קצב נתונים | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| מתח אספקה | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| השהיית CAS | 9-14 clocks (programmable) | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| מספר פינים | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |