M29F800FB55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F800FB55N3F2 מאת Micron Technology ו M29F160FT55N3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F800FB55N3F2 M29F160FT55N3F2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Flash
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
ארגון 1M x 8 / 512K x 16 1M x 16 / 2M x 8
מתח אספקה 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
סוג ממשק Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel
סטטוס RoHS Compliant (lead-free terminations) [DATA_NEEDED: RoHS status]
סוג זיכרון — NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density — 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
ממשק — Parallel
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
מארז — 48-Pin TSOP
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר