M29W400FT55N3E vs M29W800FT70N3E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W400FT55N3E מאת Micron Technology ו M29W800FT70N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W400FT55N3E M29W800FT70N3E
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Flash
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון Flash - NOR Memory IC NOR Flash (Parallel)
גודל זיכרון 4 Mbit —
ממשק Parallel Parallel, address/data bus
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
מארז 48-TSOP I 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch)
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת רגישות ללחות (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 8 Mbit
ארגון — 1M x 8 / 512K x 16
Programming / Erase Supply — Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V)
Boot Block Location — Top boot block (FT variant)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Block Organization — [DATA_NEEDED: block size/organization]
סטטוס RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר