MT29F4G01ABBFD12-AUT:F vs MT25QU01GBBB8E12-0AUT השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT29F4G01ABBFD12-AUT:F מאת Micron Technology ו MT25QU01GBBB8E12-0AUT מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - 4Gbit SLC SPI NAND Flash | Micron
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F ✓ פעילMicron Technology
MT25QU01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QU01GBBB8E12-0AUT ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT29F4G01ABBFD12-AUT:F | MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | EEPROM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | FLASH - NAND (SLC) Memory IC | NOR Flash, Serial (SPI) |
| ממשק | SPI | SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| גודל זיכרון | 4 Gbit (512 MB) | — |
| Cell Type | SLC (Single-Level Cell) | — |
| מארז | TBGA (63-ball, per Micron serial NAND family) | 24-T-PBGA (6x8 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT grade, :F automotive suffix | AEC-Q100 qualified |
| מתח אספקה | [DATA_NEEDED: VCC range] | 1.8 V |
| Max Clock Frequency | [DATA_NEEDED: SPI clock frequency] | 133 MHz |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | — |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| On-Die ECC | Yes (ECD feature of serial NAND family) | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: temperature range] | -40C to +125C |
| סטטוס RoHS | Compliant (lead-free :F suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Density | — | 1 Gbit (128 MB) |
| ארגון | — | x1 / x2 / x4 (I/O width) |
| Access Time | — | 6 ns |
| FBGA Code | — | RW320 |
| Write Protection | — | Hardware write protection; Software write protection; Write enable latch |
| Product Longevity Program | — | No |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |