RTAX2000DL-1CQ352E vs RTAX2000DL-CQ352B השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של RTAX2000DL-1CQ352E מאת Microchip Technology ו RTAX2000DL-CQ352B מאת Microchip Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352E - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352E ✓ פעילMicrochip Technology
RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352B ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | RTAX2000DL-1CQ352E | RTAX2000DL-CQ352B |
|---|---|---|
| מותג | Microchip Technology | Microchip Technology |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Equivalent System Gates | 2000000 gates | 2,000,000 |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 19712 | — |
| Logic Cells | 29568 | [DATA_NEEDED: Logic Cells] |
| DSP Mathblocks | Up to 120 | Up to 120 |
| DSP MAC Performance | 125 MHz 18-bit x 18-bit multiply-accumulate | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Embedded Memory | Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC | Up to 540 kbits with optional EDAC protection |
| Core Supply Voltage | 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V) | — |
| Technology | Digital CMOS, antifuse (nonvolatile, one-time programmable) | — |
| Total Ionizing Dose (Functional) | 300 krad(Si) | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose (Parametric rating) | 200 krad(Si) | — |
| User I/O | 166 input and 166 output terminals | — |
| מארז | 352-terminal CQFP (Ceramic Quad Flat Pack), column E lead finish | 352-terminal ceramic CQFP, metal-sealed |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Family | RTAX-DSP / RTAX-SL radiation-tolerant FPGAs | — |
| Configuration | Live at power-up, no external configuration device | Live at power-up, no external boot PROM required |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Speed Grade | -1 (standard) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| CLBs | — | 19,712 |
| Programming Technology | — | Nonvolatile antifuse |
| Total Ionizing Dose (Parameter) | — | 200 krad (Si) |
| Core Supply Voltage (Nominal) | — | 1.5 V |
| Core Supply Voltage Range | — | 1.425 V to 1.575 V |
| Terminal Pitch | — | 0.500 mm |
| Application Domain | — | Space flight systems |