RTAX2000S-1CQ352PROTO vs RTAX2000D-1CQ352B השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של RTAX2000S-1CQ352PROTO מאת Microchip Technology ו RTAX2000D-1CQ352B מאת Microchip Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Microchip Technology
RTAX2000S-1CQ352PROTO RTAX2000S-1CQ352PROTO - Rad-Tolerant FPGA 2M Gates | Microchip

RTAX2000S-1CQ352PROTO - Rad-Tolerant FPGA 2M Gates | Microchip

RTAX2000S-1CQ352PROTO ✓ פעיל
Microchip Technology
RTAX2000D-1CQ352B RTAX2000D-1CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000D-1CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000D-1CQ352B ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר RTAX2000S-1CQ352PROTO RTAX2000D-1CQ352B
מותג Microchip Technology Microchip Technology
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Family RTAX-S Radiation-Tolerant FPGA RTAX-S/SL and RTAX-DSP (RTAX2000D)
Series RTAX2000S —
Configurable Logic Blocks (CLBs) 21504 —
Equivalent System Gates 2000000 2,000,000
Process Technology CMOS —
Programmability Type Antifuse (one-time programmable) —
Configuration Live at power-up, single chip Live at power-up, no external configuration device (antifuse)
Speed Grade -1 -1
Device Designation PROTO (prototyping / engineering) —
Temperature Grade C (commercial) —
מארז CQFP352 (ceramic quad flat pack, 352 leads) 352-pin Ceramic Column Grid Array (CQ352)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (ceramic column grid array)
Radiation Tolerance Radiation-tolerant (space-flight qualified family) —
מתח אספקה [DATA_NEEDED: core supply voltage] —
Maximum I/O Count [DATA_NEEDED: user I/O count for CQ352 package] —
Embedded SRAM [DATA_NEEDED: embedded SRAM block capacity] —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Technology — Antifuse (nonvolatile), Digital CMOS
CLBs (Logic Cells) — 19,712 CLBs / 29,568 logic cells (per family organization)
DSP Mathblocks — Up to 120 (18-bit x 18-bit MAC)
DSP Performance — 125 MHz 18-bit x 18-bit multiply-accumulate
Embedded Memory — Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC
Total Ionizing Dose — 300 krad (Si) functional / 200 krad (Si) with operation
Core Supply Voltage — 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V)
Temperature Range — Commercial (C)
Routing Features — Segmentable clocks, chip-wide highway routing, carry logic
Embedded SRAM Features — Built-in FIFO control logic
Application Domain — Space-flight, radiation-tolerant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר