TLP183GB(GB-TPL.E vs TLP183(GB-TPL השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של TLP183GB(GB-TPL.E מאת Toshiba ו TLP183(GB-TPL מאת Toshiba. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Toshiba
TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL,E - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6

TLP183(GB-TPL,E - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6

TLP183GB(GB-TPL.E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL
מותג Toshiba Toshiba
קטגוריה Surge Protectors Optocouplers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Phototransistor Optocoupler (Optoisolator) Phototransistor Output Optocoupler
סוג פלט DC, Phototransistor (single channel) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Input Type DC DC (InGaAs Infrared LED)
Maximum Forward Current (IF) 50 mA —
Maximum Forward Voltage (VF) 1.4 V —
מתח אספן-פולט (Vceo) 80 V 80 V max
Maximum Collector Current 50 mA —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
CTR Rank GB (100% to 300% at IF=5 mA, VCE=5 V) GB (50-600% range)
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +110C —
מארז 4-pin SO6 (6-SOP surface mount) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Safety Standards UL, cUL, VDE, CQC certified (per Toshiba datasheet) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
זרם קולט (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
טמפרטורת פעולה — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר