UCC21521DWR vs UCC21540 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של UCC21521DWR מאת Texas Instruments ו UCC21540 מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר UCC21521DWR UCC21540
מותג Texas Instruments Texas Instruments
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Isolation Rating 5700 Vrms 5.7 kVRMS (reinforced)
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling Capacitive coupling
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) —
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז SOIC-16 (DW) SOIC-16 (DW); DWK with 3.3-mm channel spacing
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Output Current (Peak Source) — 4 A
Output Current (Peak Sink) — 6 A
Number of Channels — 2
Secondary-Side UVLO — 8 V
Output-Side Supply Range (VDD) — 6.5 V to 18 V
Programmable Deadtime — Yes (DT pin)
Disable Pin — Yes (DIS)
Driven Devices — Power MOSFET, IGBT, GaN transistor
Channel-to-Channel Spacing (DWK) — 3.3 mm
Isolation Type — Reinforced / galvanic

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר