1ED3127MU12FXUMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1ED3127MU12FXUMA1 द्वारा Infineon और 2EDN7534RXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EDN7534RXTMA1 2EDN7534RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon | PG-TSSOP-8

2EDN7534RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon | PG-TSSOP-8

2EDN7534RXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1ED3127MU12FXUMA1 2EDN7534RXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
फ़ंक्शन Single-channel isolated gate driver Low-side gate driver
आउटपुट की संख्या 1 —
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting Non-inverting
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns —
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
पैकेज PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-TSSOP-8
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +125C
MSL स्तर — 1 (unlimited)
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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