1ED3142MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1ED3142MC12HXUMA1 द्वारा Infineon और 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
1ED3142MC12HXUMA1 - 6A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3142MC12HXUMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1ED3142MC12HXUMA1 | 2ED2106S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | 1ED3142MC12HXUMA1 | — |
| Product Family | EiceDRIVER X3 Compact | — |
| Driver Type | Isolated single-channel gate driver | — |
| Isolation Technology | Coreless transformer (galvanic) | — |
| Isolation Voltage | 3000 Vrms | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| आउटपुट की संख्या | 2 (separate source/sink) | 2 (1 high-side, 1 low-side) |
| Configuration | Inverting, Non-Inverting | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) |
| Source Drive Current | 6 A | — |
| Sink Drive Current | 6.5 A | — |
| Maximum Rise Time | 20 ns | — |
| Maximum Fall Time | 20 ns | — |
| Propagation Delay (typ.) | 40 ns | 100 ns |
| Supported Switches | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | — |
| पैकेज | PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) | PG-DSO-8-69 (DSO-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| EU RoHS | Compliant | — |
| Part Status | Active | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| Offset Voltage (Voffset max) | — | 650 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Input Logic Compatibility | — | CMOS, TTL |
| Number of Drivers | — | 2 |
| पिन की संख्या | — | 8 |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40C to +125C |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| आउटपुट प्रकार | — | Half-Bridge, Non-Inverting |