1ED3142MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3142MC12HXUMA1 מאת Infineon ו 2ED2106S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3142MC12HXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
מספר יציאות 2 (separate source/sink) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Configuration Inverting, Non-Inverting High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns 100 ns
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
מארז PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Number of Drivers — 2
מספר פינים — 8
Bootstrap Diode — Integrated
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
סוג פלט — Half-Bridge, Non-Inverting

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר