1ED3323MC12NXUMA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1ED3323MC12NXUMA1 द्वारा Infineon और 1ED3124MU12HXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
1ED3124MU12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3124MU12HXUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1ED3323MC12NXUMA1 | 1ED3124MU12HXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| फ़ंक्शन | Single-channel isolated gate driver | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5.7 kVrms | — |
| Peak Source Current | 8.5 A | — |
| Peak Sink Current | 9 A | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Primary-Side Supply Voltage (VDD1) | 3.1 V to 5.5 V | — |
| Secondary-Side Supply Voltage (VCC2) | 9 V to 18 V | — |
| Propagation Delay (typ) | 85 ns | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | [DATA_NEEDED: CMTI in kV/us] | 200 kV/us minimum |
| Protection Features | DESAT short-circuit, soft-off, Miller clamp, UVLO | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 C to +125 C | -40C to +125C |
| पैकेज | PG-DSO-16-40 | PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL2 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Family | EiceDRIVER F3 Enhanced (1ED332x) | — |
| Isolation Technology | Coreless Transformer (CT) | Coreless transformer (CT) |
| Product Type | — | Single-channel isolated gate driver IC |
| Manufacturer Family | — | EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) |
| Peak Output Current (source/sink) | — | 14 A typical |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | — | Separate source and sink pins |
| Galvanic Isolation (rms) | — | 5.7 kV (UL 1577) |
| Working Voltage (continuous) | — | 1200 V |
| Propagation Delay (typ.) | — | 90 ns |
| UVLO Threshold | — | 10.5 V |
| Creepage Distance | — | >8 mm |
| Target Switch Types | — | IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET |
| Recommended Switch Class | — | Up to 2300 V IGBT / SiC modules |