1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7146GXTMA1 द्वारा Infineon और 1EDN7116GXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDN7146GXTMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Driver Type | High-side, single-channel | — |
| Number of Drivers | 1 | 1 |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Input Type | TDI (Truly Differential Inductor) | Truly Differential Input (TDI) |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | 200 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | 4.5 V to 5.5 V |
| Source/Sink Drive Current | 500 mA / 500 mA | — |
| Gate Drive Voltage | Up to 11 V (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 40 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| UVLO (VCC) | Yes | — |
| UVLO (VB) | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +125 C | — |
| पैकेज | PG-VSON-10-4 | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | MSL3 |
| फ़ंक्शन | — | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |