1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7146GXTMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7116GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 1EDN7146GXTMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Driver Type | High-side, single-channel | — |
| Number of Drivers | 1 | 1 |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Input Type | TDI (Truly Differential Inductor) | Truly Differential Input (TDI) |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | 200 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | 4.5 V to 5.5 V |
| Source/Sink Drive Current | 500 mA / 500 mA | — |
| Gate Drive Voltage | Up to 11 V (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 40 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| UVLO (VCC) | Yes | — |
| UVLO (VB) | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40 C to +125 C | — |
| Paket | PG-VSON-10-4 | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | MSL3 |
| Fonksiyon | — | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |