2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon और 2ED21064S06JXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
2ED21064S06JXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon
2ED21064S06JXUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | 2ED2106S06FXUMA1 | 2ED21064S06JXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Offset Voltage (Voffset max) | 650 V | — |
| Configuration | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) | Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) |
| Source Current (typ.) | 0.29 A | — |
| Sink Current (typ.) | 0.7 A | — |
| Input Logic Compatibility | CMOS, TTL | 3.3 V / 5 V CMOS |
| Propagation Delay (typ.) | 100 ns | — |
| आउटपुट की संख्या | 2 (1 high-side, 1 low-side) | — |
| Number of Drivers | 2 | — |
| पिन की संख्या | 8 | — |
| पैकेज | PG-DSO-8-69 (DSO-8) | PG-DSO-14 (14-pin SOIC) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Bootstrap Diode | Integrated | Integrated |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40C to +125C | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| आउटपुट प्रकार | Half-Bridge, Non-Inverting | — |
| फ़ंक्शन | — | High-Side and Low-Side Gate Driver |
| टोपोलॉजी | — | High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode |
| Maximum Offset / Boot Voltage | — | 650 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typical) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typical) | — | 0.7 A |
| Rise Time (typical) | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (typical) | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| Propagation Delay (typical) | — | 100 ns |
| Channel-to-Channel Delay Match | — | [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] |
| Under-Voltage Lockout | — | Yes (both channels) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40C to +125C |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS स्थिति | — | ROHS3 Compliant |
| Negative Gate Drive Robustness | — | -0.7 V |