2EDN7534RXTMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2EDN7534RXTMA1 द्वारा Infineon और 2EDN7533RXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2EDN7534RXTMA1 2EDN7534RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon | PG-TSSOP-8

2EDN7534RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon | PG-TSSOP-8

2EDN7534RXTMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2EDN7534RXTMA1 2EDN7533RXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
फ़ंक्शन Low-side gate driver Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels 2 2
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL LV-TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) -12 V to +22 V
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C —
पैकेज PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (unlimited) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -40 C to +150 C

डेटाशीट और संसाधन

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