AT45DB041D-SU vs M25P16-VMN3TPB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना AT45DB041D-SU द्वारा Renesas Electronics और M25P16-VMN3TPB द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ सक्रिय
Micron Technology
M25P16-VMN3TPB M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर AT45DB041D-SU M25P16-VMN3TPB
ब्रांड Renesas Electronics Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DataFLASH NOR NOR Flash (Serial SPI)
Memory Format FLASH —
Density 4 Mbit (4,325,376 bits) —
संगठन 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) 2 Mbyte x 8
इंटरफ़ेस SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) SPI Serial
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 66 MHz 75 MHz
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (single supply)
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes —
Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] 0.64 ms typ (256-byte page)
Endurance 100,000 program/erase cycles per page —
Data Retention 20 years minimum —
Security Register 128 bytes —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
पैकेज 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) 8-SOIC (3.90 mm width, 150 mil)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
मेमोरी आकार — 16 Mbit (2 M x 8)
Access Time — 15 ns
Sector Erase Time — 0.6 s typ (512 Kbit sector)
Bulk Erase Time — 13 s typ (16 Mbit)
Sector Count — 32 sectors of 64 Kbyte
Write Protection — Advanced write-protection mechanisms
Packaging — Tape & Reel (TPB suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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