BFU520R vs BFU520AVL तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BFU520R द्वारा NXP Semiconductors और BFU520AVL द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
BFU520R BFU520R - NPN 12V 10.5GHz Wideband RF Transistor | NXP

BFU520R - NPN 12V 10.5GHz Wideband RF Transistor | NXP

BFU520R ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
BFU520AVL BFU520AVL - NPN RF Transistor 12V 10GHz SOT-23 | NXP

BFU520AVL - NPN RF Transistor 12V 10GHz SOT-23 | NXP

BFU520AVL ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BFU520R BFU520AVL
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी Transistors Transistors
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार NPN wideband silicon RF BJT NPN wideband silicon RF transistor
कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (Vceo) 12 V 12 V
Collector Current (IC max) 30 mA 30 mA (DigiKey listing); 50 mA per Vyrian listing
ट्रांज़िशन फ्रीक्वेंसी (ft) 10.5 GHz up to 10 GHz
Total Power Dissipation 450 mW —
Frequency Range up to 2 GHz application range —
पैकेज SOT-143B (4-pin, dual-emitter, plastic) SOT-23 (TO-236AB), 3-pin
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Noise Performance Low noise, high breakdown —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Family BFU5 (BFU5x wideband silicon RF transistors) —
Configuration Single NPN, dual-emitter Single
Application Class Small signal to medium power —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS compliant (per supplier listing)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Noise Figure [DATA_NEEDED: noise figure in dB] [DATA_NEEDED: noise figure]
Gain [DATA_NEEDED: gain] —
Polarity — NPN
Power Dissipation (Pd) — 450 mW
Application Band — up to 2 GHz (BFU5 family rating)
Peak Reflow Temperature — 260 C
Gain (S21) — [DATA_NEEDED: gain]
Packaging Suffix — VL (Tape & Reel)

डेटाशीट और संसाधन

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