BSC009NE2LS5IATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC009NE2LS5IATMA1 द्वारा Infineon और IPB020N08N5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC009NE2LS5IATMA1 | IPB020N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer Part Number | BSC009NE2LS5IATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 (25V/30V family) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Configuration | Single with built-in diode | Single N-channel, 3-pin (2+Tab) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) max | 25 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | 20 V | — |
| Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ | 1.7 V (range 1.0-2.0 V) | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 0.95 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C | 217 A (pulsed, datasheet rating) | — |
| Power Dissipation (P_D) @ T_A | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (P_D) @ T_C | 74 W | — |
| Total Gate Charge (Q_G) typ | 23 nC @ V_GS=0-4.5V | — |
| Input Capacitance (C_iss) typ | 3200 pF | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO263-3 (D2PAK-2) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Terminal Finish | Matte Tin (e3 per JESD-609) | — |
| Number of Terminals | 8 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 480 A |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] |
| Avalanche Energy Rated (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |