BSC011N03LSATMA1 vs IQE008N03LM5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC011N03LSATMA1 द्वारा Infineon और IQE008N03LM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ सक्रिय
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IQE008N03LM5ATMA1 IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC011N03LSATMA1 IQE008N03LM5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 30V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 37 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 100 A (TC) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.1 mOhm (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 96 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating)
पैकेज PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS स्थिति Compliant Compliant (per LCSC listing)
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 253 A
On-Resistance RDS(on) Typical — 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 89 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V (typical MOSFET rating)
Technology — OptiMOS 5, Source-Down

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