BSC011N03LSATMA1 vs IQE008N03LM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC011N03LSATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE008N03LM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC011N03LSATMA1 IQE008N03LM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 30V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 37 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 100 A (TC) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.1 mOhm (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 96 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating)
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per LCSC listing)
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 253 A
On-Resistance RDS(on) Typical — 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 89 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V (typical MOSFET rating)
Technology — OptiMOS 5, Source-Down

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں