BSC027N06LS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC027N06LS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC033N08NS5SCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC027N06LS5ATMA1 | BSC033N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 83 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | -55C to +175C |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 8 | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total Qg] | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 144 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 136 W |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.86 K/W |
| पैकेज | — | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| MSL स्तर | — | 1 |