BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC033N08NS5SCATMA1 द्वारा Infineon और BSC123N08NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC033N08NS5SCATMA1 | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 144 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 136 W | 66 W |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 3.3 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Thermal Resistance RthJC | 0.86 K/W | — |
| पैकेज | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant with exemption |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 55 A |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 11 A |
| Maximum Pulsed Drain Current | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | — | 12.3 mOhm |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |