BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC033N08NS5SCATMA1 tarafından Infineon ve BSC123N08NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC033N08NS5SCATMA1 BSC123N08NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (Tc) 144 A —
Power Dissipation (Tc) 136 W 66 W
RDS(on) max @ VGS=10V 3.3 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Thermal Resistance RthJC 0.86 K/W —
Paket PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Technology Trench (OptiMOS 5) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] [DATA_NEEDED: Qg]
RoHS Durumu Compliant Compliant with exemption
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Family — OptiMOS 3
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single with built-in body diode
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) — 55 A
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) — 11 A
Maximum Pulsed Drain Current — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V — 12.3 mOhm
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin