BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC033N08NS5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC123N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC033N08NS5SCATMA1 | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 144 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 136 W | 66 W |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 3.3 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Thermal Resistance RthJC | 0.86 K/W | — |
| پیکیج | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant with exemption |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 55 A |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 11 A |
| Maximum Pulsed Drain Current | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | — | 12.3 mOhm |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |