BSC036NE7NS3GATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC036NE7NS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC077N12NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ सक्रियInfineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC036NE7NS3GATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 2.6 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | 45 nC | — |
| Rise Time (tr typ) | 13 ns | — |
| Fall Time (tf typ) | 11 ns | — |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | 156 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | 1 |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 98 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |