BSC036NE7NS3GATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC036NE7NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC077N12NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC036NE7NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS ROHS3 Compliant Compliant
سطح MSL 1 1
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
دمای اتصال کاری — -55C to +150C
تعداد پایه — 8
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت